今年市場將優于預期

在全球金融／經濟風暴的襲擊下，世界半導體業2008、2009連續兩年陷入困境，出現負增長，2010年觸底強勁反彈。WSTS（世界半導體貿易統計協會）去年秋季曾預測，當年市場將大幅增長31.7％，市場突破3000億美元大關，達3004億美元，是十年來增長最快的一年?？墒?，冷暖相依，大多市調公司對2011年市場并不看好，預期增長率僅能在5％上下，徘徊于個位數的低端。

預測不過是預測而已

最近WSTS發表了今年1月份的數據統計，世界半導體的銷售額達240億美元，同比勁增16％，而環比（比上年12月）僅下降4.5％，是自1999年以來12年中下降最少的一年（據統計，1999～2010年間每年l月的平均環比負增長率達20％）。

依據上述數據，市場調研公司ICInsights將歷年的詳細數據加以推算，再加上最近如美國失業率減少、新興經濟國家需求殷切等的經濟積極因素，該公司對今年世界半導體市場前景表示樂觀，認為可增長10％左右。

無獨有偶，VLSI公司在3月份竟兩次上調今年世界半導體市場的增長率，尤其引人矚目。該公司不久前曾表示，去年世界半導體市場增長了30.9％，預測今年將增長8.1％，達2687億美元，雖然承認今年市場確有許多不確定因素，但鑒于首季度的市場運行情況，于3月2日將今年的增長率上調至8.9％，達2707億美元。等到3月30日，一季度的半導體市場表現紅火好于預期，今年快速提高了11.6％，銷量也從11％提高到14％，因此一季度為全年發展構建了良好基礎。于是，VLSI公司便再次將今年世界半導體市場的增長率上調到12.2％，并認為即使有石油漲價、通貨膨脹、日本地震等種種不利因素，未來幾個季度運行速度可能會趨緩，但至少可保持兩位數的增長率。

ICInsights公司預測，今年熱銷的半尋體產品有數據轉換電路、汽車專用模擬電路和MPU等，日前又特別提到了O－S－D（光電器件－傳感器／傳動器－分立器件）市場，3類產品總銷售額將比去年上揚10.2％，達583億美元，其中光電器件增長11％，達264億美元；傳感器／傳動器增長15％，達85億美元；分立器件增長8％，達234億美元。

由于日本3.11地震曾導致15座晶圓廠生產中斷，對半導體業造成不良影響，ICInsights公司最近又出版了一份相關報告。據其統汁，世界半導體制造產能中有63％位于地震活動帶，晶圓代工產能更超過90％，尤其是位于中國臺灣地區的世界兩大頂級晶圓代工廠――臺積電和聯電，一旦遭遇地震或颶風災害，則將對整體電子產業供應鏈造成巨大沖擊（見表1）。
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450mm晶圓即將上馬

自1980年半導體業界采用l00mm晶圓進行生產，大約每5年前進一代，1985年采用150mm生產；l990年采用200mm生產；1995年采用300mm生產?？勺?00mm以來已超過15年還未走向450mm新一代晶圓，時間可謂長矣，近年雖議論不少，可始終未見具體計劃。

究其原因，主要是缺少突破型新產品需求的驅動力，據說300mm晶圓線的巨額投資，廠商還沒全部收回，因而缺少投資新一代工藝的經濟實力。另外，開發新一代技術已不像以往各代的工藝主要是重復，而是要求制造設備廠商具有綜合開發能力，包括工藝開發、材料準備、軟件編寫、工廠自動化等，龐大的資金和專業知識均非易事。當前，即使像應用材料和東京電子這樣世界最大的設備制造公司在資源方面也難于獨立完成這樣的開發。

2008年5月，Intel、三星和臺積電共同發表實施450mm生產線的聲明時，業界一時震動?？善浜筮m遇經濟風暴，市場陷入低迷，計劃亮起紅燈。直到不久前，人們才又見到促進派特別是Intel和臺積電的動靜，發表了較為具體的發展路線圖。臺積電計劃2013～2014年完成試制生產線，2015～2016年實現量產，并計劃2012年第三季度開始在450mm晶圓上采用20nm工藝技術進行生產。Intel公司2月宣布，即將投資50億美元以上，在亞利桑那州建立42號工廠，釆用l4nm以下工藝，2013年建成，據稱將是世界上最先進的工廠。

臺積電4月5日在美國圣荷塞舉行的技術論壇上，詳細透露了公司的450mm晶圓生產計劃。臺積電將全力向450mm時代挺進，目的之一是降低成本，其二是爭取比競爭對手搶先一步。450mm生產線約需投資100億美元，其中設備費尤為高昂，但其生產率可比300mm生產線提高1.8倍，且可減少工廠數量，避免面臨尋找大量優秀工程技術人員的難題，未來10年將減少人員需求7000人。據悉，臺積電將首先在新竹第12號工廠建立試制線，預計2013～2014年投入運行，然后轉入臺中第15號工廠進行量產，計劃2015～2016年完成。初時釆用20nm工藝，未來將轉向14nm工藝。

摩爾定律何時到頭？

在半導體業界一向奉為圭臬的摩爾定律到頭之論早已有之，iSuppli公司2009年便聲稱摩爾定律即將于2014年失效，曾引起熱烈議論。被譽為臺灣集成電路之父的臺積電董事長張忠謀于今年4月下旬出席“全球科技高峰論壇”時又表示，摩爾定律大約再過6～8年將走到極限。他說，摩爾定律以往平均每兩年進入新的一代，未來IC的微細化發展空間已不大，倒是電路板方面還有發展空間，未來勢必要往新的應用發展，如低功耗等。

微細化技術發展的困難日益增大，速度趨緩，從2003年的90nm工藝、2005年的65nm工藝、2007年的45nm工藝到2009年32nm，都是兩年一代?？缛?010年以后工藝革新的間隔時間將延長，預計將從2011～2012年的22nm、2014～2015年15nm到2017～2018年11nm，將放慢到2.5～3年一代。

今天的半導體業除了繼續走傳統微細化道路的所謂“MoreMoore（更摩爾）”方式之外，業界還提出了有別于此的所謂“MorethanMoore（超摩爾）”的發展道路。它包括通過3D方式提高集成度，以及將模擬電路、功率器件、傳感器、生物芯片、無源元件等集成在一個封裝里，稱為SIP（SystemInaPackage）。另外，“BeyondCMOS（后CMOS）”也是業者提出的另一方式，即利用與現有MOS晶體管不同原理進行工作的新器件，包括將原子、量子、光、自旋電子等用作芯片布線等技術，并將成為本世紀20年代的基礎技術。

總之，未來集成電路必將走上多樣化的發展道路，“MorethanMoore”和“BeyondCMOS”將成“MoreMoore”技術發展的原動力。此外，還有化合物半導體（Ge和III－V族半導體）材料的應用也值得注意，業界有“得材料者得天下”的說法。

激蕩的未來十年

????無論如何，微細化的道路還將走下去，當前32nm工藝已成主流技術，今年世界主要半導體廠商如Intel、臺積電、GlobalF、三星等公司即將跨入22nm新一代技術，但綜觀世界半導體業各生產公司，自130nm以下，共有6代生產工藝并存于世（圖1）。預計明年22nm將成主流生產技術。

另外還有一種提法，認為微細化技術在NANDflash等的牽引下，不斷采用新的手段，前進步伐還將加快，超過了ITRS（國際半導體技術發展路線圖）的預測，今年1Xnm技術即將成事，9nm技術也已在實驗室開發成功。若依ITRS路線圖，2024年將進入5nm時代，屆時每平方厘米尺寸的芯片上，集成的晶體管數將超過250億個。當然，它必須經過革新原有技術，應用新的半導體材料。

總之，世界半導體業將在這新的十年里閃展騰挪，爭時立新，人們必須清醒地認識到這一點，方能不失時機地擇機而進。2011～2012年22nm工藝付諸量產時，現有的MOS晶體管結構和材料尚可維持，可到2014～2015年15nm時代以后，就必須要開發提高產品性能的新技術了。

結語

事物總在發展，生命必有盡頭。摩爾定律是在半導體芯片上通過傳統手段縮小工藝尺寸以提高其集成度和降低成本，這條道路走不下去了，人們便研究出改變M0S晶體管結構、更換半導體材料以及3D化等不同手段，使半導體工藝微細化繼續不斷前進。